40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

背照式（BSI）CMOS图像传感器需要将硅衬底减薄至极致，以允许光线直接入射到光电二极管区域，而不会受到前段工艺金属布线层的干扰 [T1]。在经过整体机械研磨和超声波清洗后，晶圆表面会出现严重的亚表面损伤、加工硬化区以及被称为总厚度偏差（TTV）的形貌变化 [A2]。CIS背面硅CMP1步骤是一种高去除率的平坦化工艺，旨在快速剥离这层结构受损的硅层 [P1]。