CIS Backside Si, CMP2 (target thickness adjust)

通常选择胶体二氧化硅浆料，因为它们对硅表面的持续、温和水合作用可以防止直接机械断裂，否则会导致引入新的晶体缺陷 [P4]。

在背照式（BSI）CMOS图像传感器的制造过程中，必须对体硅衬底进行大幅减薄，以实现背部直接光照，从而最大化填充因子和光吸收效率 [A1]。在经过机械研磨和初级 CMP1 步骤（去除了严重的机械诱导亚表面损伤）之后，CIS 背面硅 CMP2 步骤作为最终的、高精度的目标厚度调整工艺 [P3]。此二次抛光步骤对于实现严格的剩余硅厚度（RST）并最小化晶圆总厚度变化（TTV）至关重要 [A1]。