ILD 6-1 Etch - 40nm 工艺步骤

基于氟自由基的干法刻蚀会导致暴露的介质侧壁发生局部氟化，形成氟硅玻璃（FSG）结构，这有效地降低了局部介电常数并改善了阻容（RC）延迟性能 [A1]。

ILD 6-1刻蚀是直接键合互连（DBI）模块多阶段介质图形化序列中的最后一步干法刻蚀步骤 [A2]。在完成从 ILD 6-4 到 6-2 的工艺后，结构的上方沟槽和通孔几何形状已定义完成，而这一最后步骤通常用于完成通孔开口并穿透底部刻蚀停止层，以露出下方的金属焊盘或触点 [A2]。在此阶段进行精确的图形转移至关重要，因为后续步骤涉及灰化、清洗以及 Ta 基衬垫和 Cu 种子层的沉积 [T1]。