等离子体灰化和剥离工艺从直接键合互连(DBI)表面去除残留光刻胶、底部抗反射涂层(BARC)和高度交联的碳氟(CFx)聚合物,以确保后续键合过程无污染 [P3]。
在 ILD 6-1 刻蚀工艺之后,用于直接键合互连 (DBI) 的最终沟槽和通孔腔体已定义完成,但其表面仍残留大量光刻胶、底部抗反射涂层 (BARC) 以及高度交联的碳氟 (CFx) 聚合物刻蚀残留物 [P3]。这一特定的灰化与剥离/清洗步骤至关重要,因为它作为钽基衬垫和铜种子层沉积前的最终表面制备工艺,区别于仅去除部分刻蚀间残留光刻胶的早期中间清洗步骤 [P2]。
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