40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器的工艺流程中，这一特定的灰化（Ashing）与剥离/清洗（Strip/Clean）步骤紧跟在ILD 6-5刻蚀之后，该刻蚀工艺在物理上定义了用于顶层Metal 8直接键合互连（DBI）焊盘的沟槽 [A1]。此步骤的主要功能是彻底去除块状光刻胶掩模以及前序反应离子刻蚀（RIE）过程中产生的顽固氟碳聚合物残留 [P3]。