ILD 6-4 Etch - 40nm 工艺步骤

当刻蚀前沿到达特定的底层材料（如含碳刻蚀停止层）时，改变后的表面化学性质会显著降低刻蚀速率，从而提供必要的垂直刻蚀选择性 [A1]。

在 40nm BSI CIS DBI 模块中，互连结构需要精确的平坦化和可靠的混合键合界面 （工程实践）。从 ILD 6-5 到 6-1 的演进代表了复杂多层堆叠的顺序分解，其中 ILD 6-4 在该架构中专门针对特定的中间电介质或硬掩模层 [A1]。通过执行初始的 ILD 6-5 开口，ILD 6-4 刻蚀将关键尺寸（CD）进一步转移到互连堆叠的深处 [A1]。