Post CMP Cleaning（DBI） - 40nm 工艺步骤

清洗工艺不仅必须去除纳米级污染物，还必须保持 CMP 阶段设计的精密 Cu 凹陷，以确保混合键合过程中的热压成功 [A3]。

直接键合互连（DBI）模块中的 CMP 后清洗步骤旨在为后续的 CMOS 图像传感器（CIS）和图像信号处理器（ISP）晶圆键合准备一个原始且平坦化的混合表面 [A3]。在对块状 Cu、Ta 基衬层和最终氧化层进行顺序化学机械平坦化（CMP）后，晶圆表面会残留抛光液磨料、有机添加剂和金属副产物 [P4]。该步骤必须彻底清除这些残留物，以实现无缺陷的 RF 表面活化以及氧化物与氧化物、Cu 与 Cu 之间的直接键合 [A3]。