40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在先进的后段工艺（BEOL）和封装集成中，厚电介质通常采用多阶段（例如 1-1、1-2、2-1）进行刻蚀 [P4]，以精确管理掩模侵蚀、控制轮廓锥度并减轻深度相关偏差 [P4]。对于 40nm BSI CMOS 图像传感器，RIE 刻蚀中的 ILD 1-2 刻蚀步骤充当了 BONDPAD 模块内中间主体去除阶段 [P3]。与标准的浅层氧化物刻蚀或氮化物刻蚀不同，该中间步骤运行在高深宽比开始显著增加的区间内，需要严格控制侧壁钝化和离子能量通量以保持垂直轮廓 [P1]。