Bond Pad Opening 2 - Photo - 40nm 工艺步骤

由于底层的 BSI 堆叠包含高紫外光透射率的电介质薄膜（如 SiO2 和 Si3N4），因此必须严格管理曝光过程中的光传输和反射，以防止光刻胶发生意外曝光 [P3]。

背面照明（BSI）CMOS图像传感器的背面结合了复杂的电介质架构，旨在优化光传输和载流子收集，这些特性受半导体吸收性能的支配 [T1]。在完成初步的键合焊盘开口 1（Bond Pad Opening 1）并部分清除上层有机材料后，键合焊盘开口 2（Bond Pad Opening 2）的光刻步骤定义了图案化剩余底层阻挡膜（如上层网格密封层和下层 OCL 涂层）所需的精密光刻掩模 [A2]。