40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器工艺流程中，上层栅格密封层刻蚀（Upper Grid Seal Layer Etch）是BONDPAD模块中的关键步骤 [P2]。该步骤位于Bond Pad Opening 2光刻胶图案化之后，旨在选择性地去除覆盖在周边焊盘和光学焊盘上的保护性上层栅格密封材料 [P2]。与定义高分辨率像素级隔离栅格的早期氧化物栅格密封层刻蚀（如步骤#323）不同，此特定步骤在封装集成层面执行，用于露出下方的连接接口 [A1]。