Bond Pad Metal 7 Barrier Etch - 40nm 工艺步骤

刻蚀过程必须有选择性地去除阻挡层，而不能过度溅射下方的铜层，因为微量的铜再溅射可能会导致电气短路或对器件运行产生不利影响 [P1]。

在 40nm BSI CIS 工艺流程中，ILD 层刻蚀形成焊盘开口后，必须刻蚀下方的 Metal 7 互连阻挡层以建立电气接触 [A2]。高密度铜互连的集成要求使用可靠的阻挡层（如 Ta 或 TaN），以抑制铜扩散进入相邻的电介质中 [P2]。该步骤专门去除焊盘通孔底部的暴露阻挡层材料，为最终的封装连接做好表面准备 [A1]。