40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程中，最终的灰化与剥离/清洗步骤位于Bond Pad Metal 7阻挡层刻蚀之后，旨在全面去除高度交联的光刻胶及刻蚀后残留物 [P1]。在先前的阻挡层刻蚀过程中，卤素基等离子体与Ta/TaN阻挡层及下方的铜发生反应，生成复杂的氟碳聚合物和有机金属副产物 [A2]。如果处理不当，这些残留物会形成一层高电阻界面层，严重降低金属-半导体或金属-金属界面的接触电阻，最终影响器件功耗和信号完整性 [T1]。