RIE etch, Si Back etch（BONDPAD）

选择反应离子刻蚀而非湿法各向异性刻蚀，是因为它能为高密度焊盘阵列提供所需的严格尺寸控制和垂直侧壁 [P1]。

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器中，从减薄后的背面引出前段工艺金属布线，对于形成外部电气连接至关重要*（工程实践）*。在依次刻蚀背面钝化金属介质层（BPMD）以及抗反射/高k介电层（HKD/AR2, HKD/AR1）之后，体硅衬底会被局部暴露 [A1]。BONDPAD模块中的这一特定“RIE刻蚀，硅背面刻蚀”步骤，旨在各向异性地去除剩余硅材料，以形成目标指向前段工艺焊盘的深沟槽或通孔 [P3]。