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ILD 6-2 氧化物刻蚀步骤是一项关键的后段工艺（BEOL），旨在定义用于封装或晶圆对晶圆集成的键合焊盘（bond pad）空腔的上部 [P3]。在“键合焊盘空腔 - 光刻”步骤之后，该工艺会各向异性地去除顶层厚氧化硅层（ILD 6-2），并精确停止在底层的 ILD 6-1 SiCN 层上 [A2]。这开启了交替介质和阻挡层刻蚀（氧化物 -> SiCN -> 氧化物 -> SiCN）的序列，该序列对于在不暴露侧壁金属的情况下露出终端金属互连是必要的 [A1]。