40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器制造流程中，键合焊盘（bond pads）需要通过复杂的后段工艺（BEOL）介质叠层进行深槽刻蚀，以露出下方的金属焊盘 [P3]。该刻蚀过程依次穿过交替的块状氧化物（ILD x-2）和薄 SiCN 刻蚀停止层（ILD x-1）[P1]。在去除 ILD 6 层后，ILD 5-2 氧化物刻蚀专门针对第 5 金属层的块状 SiO₂，使槽孔精确停止在下方的 ILD 5-1 SiCN 层上 [P1]。