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在 P-Pinning IIP 步骤之后，必须彻底清除用作离子注入阻挡掩膜的光刻胶图案 [A5]。这一关键的剥离与清洗顺序旨在为随后的 P+ VSS 和外围 P-Well Contact IIP 光刻步骤做好晶圆准备工作 （工程实践）。上游的 P-pinning 注入从根本上负责在 Si-SiO₂ 界面处引入高掺杂的 p+ 层，从而抑制界面态的电子并抑制暗电流 [P1]。