40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 N Photocathode IIPX 步骤之后，目标 n 型注入形成了钉扎光电二极管（PPD）的光敏核心 [P4]。此项注入利用厚光刻胶掩模来阻挡高能离子进入周围区域，从而导致光刻胶材料受到严重的离子轰击 [T1]。当前的 Ashing & Strip/Clean（灰化及剥离/清洗）步骤对于在 Pixel Array P-Well IIP 光刻序列之前彻底去除这种经离子硬化的光刻胶至关重要 （工程实践）。