40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

Photocathode IIPX - Photo 步骤是背照式（BSI）CMOS 图像传感器工艺流程中一项关键的光刻操作，用于定义 N 型电荷收集阱的空间边界 [T1]。与先前用于为外围控制电路图案化深层逻辑和布线阱的 Periphery N-Well 光刻不同 (Engineering Practice)，该步骤专门针对有源像素阵列，以构建钉扎光电二极管（Pinned Photodiode）的核心 p-n 结 [P2]。