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N Photocathode IIPX 步骤通过物理方式引入 n 型掺杂剂，从而形成钉扎光电二极管（pinned photodiode）的主要电荷收集区 [A1]。与仅利用光刻技术来定义光刻胶中注入窗口空间边界的前置“Photocathode IIPX - Photo”步骤不同，此步骤执行的是将掺杂离子高能弹道式注入暴露硅片中的实际操作 [T1]。