BPMD SiO Deposition - 40nm 工艺步骤

提高沉积温度或调节氧气与前驱体的比例可以降低残留硅醇（Si-OH）基团的浓度，从而提高薄膜的介电稳定性和密度 [P4]。

在背照式（BSI）CMOS 图像传感器工艺流程中，背面金属前介质层（BPMD）SiO 沉积位于高 k 值钝化叠层（AlO 和 TaO）之后，且在衬底接触孔形成之前 [P1]。该 BPMD 层的主要功能是为背面硅表面与后续的背面互连或光学栅格结构提供稳固的介电隔离 [A1]。底层的 AlO 和 TaO 层为减薄后的硅界面提供用于场效应钝化和化学钝化的固定电荷，有效排斥少数载流子并降低暗电流 [P1]。