40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器工艺流程中，背钝化（BKPAS）模块内的氧化物硬掩模刻蚀用于将隔离或接触孔图案精确转移至二氧化硅层中 [A2]。在背钝化离子注入（IIP）及随后的光刻胶灰化之后，必须对氧化物硬掩模进行图案化，以界定后续热处理和等离子体处理的特定区域 [A2]。该步骤不同于一般的氧化物刻蚀或完全去除氧化物硬掩模（步骤#23），因为它严格地对电介质进行图案化，以作为后续高深宽比深沟槽隔离（DTI）或接触孔刻蚀的稳健掩模 [P2]。