40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器工艺流程中，“背侧钝化 IIP - 光刻”（Backside Passivation IIP - Photo）步骤定义了后续离子注入工艺的精确空间边界 [T1]。在对氧化物硬掩模进行精细的预光刻清洗后，该光刻步骤通过涂覆并图案化光刻胶层，作为离子阻挡掩模 [T1]。