40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在背照式（BSI）CMOS图像传感器中，减薄硅晶圆会暴露出背面的外延层，从而形成一个布满悬挂键和晶体缺陷的物理边界 [T1]。这些界面缺陷充当了产生-复合中心，严重增加了暗电流并降低了传感器的信噪比 [P5]。背面钝化离子注入（IIP）步骤通过将受主掺杂剂引入背面硅表面，形成一个高掺杂的浅层积累层来解决这一问题 [P1]。该工艺位于“背面钝化IIP - 光刻”步骤之后，利用图案化的光刻胶选择性地掩蔽并注入特定的像素阵列或外围区域 [T1]。