40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，背面钝化对于降低减薄硅界面处的暗电流和表面复合至关重要 [T1]。在晶圆完成背面减薄和氧化物硬掩模沉积后，必须为背面钝化离子注入（IIP）光刻步骤做好准备 [A1]。这一特定的光刻前清洗步骤可确保在涂覆光刻胶之前，氧化物硬掩模表面完全无有机残留物和无机污染物 [P1]。与在前段工艺中处理原始硅片或标准电介质的前段光刻前清洗不同，这一特定步骤必须在不降低脆弱衬底或精密沉积的硬掩模结构完整性的前提下，对减薄后的晶圆背面进行细致处理 [A1]。