40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在背照式（BSI）CMOS图像传感器中，光子通过减薄的硅背面进入，使得界面反射成为光损耗的主要来源 [P1]。为了最大限度地提高光学量子效率，需要多层减反射膜（ARC）来弥补硅衬底与外部环境之间的折射率差距 [P1]。HKD/AR2 氧化钽（TaO）沉积紧随 AlO（AR1）层之后，并先于 SiO（BPMD）沉积 [P2]。这种具有显著折射率差异的介电层特定排列顺序，能够主动控制反射光的相位和能量，从而抑制界面处的菲涅尔反射 [P1]。