40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

HKD/AR1 AlO 沉积步骤是背照式（BSI）CMOS 图像传感器中至关重要的背面钝化工艺 [P1]。在 BSI 架构所需的衬底减薄工艺之后，暴露出的背面硅表面极易产生结构缺陷和悬挂键，这些缺陷会成为严重的产生-复合中心 [P1]。继前序用于清洁和调节表面的 RF 等离子体步骤之后 [P3]，沉积氧化铝（Al₂O₃）层以对这些表面缺陷进行电学钝化 [P1]。