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在完成背面钝化（Backside Passivation）IIP工艺后，必须彻底去除用于掩蔽离子注入的图案化光刻胶，以便为后续的硬掩模刻蚀和真空烘烤做好准备 [P1]。在上游注入过程中，光刻胶会吸收高能掺杂离子，使其顶层转变为一种高度交联、碳化的外壳，即高剂量离子注入光刻胶（High-Dose Ion-implanted Photoresist, HDI-PR）[P1]。如果这种硬化外壳及其下方的本体光刻胶不能被彻底清除，残留的碳污染将严重削弱后续真空烘烤对背面外延层中掺杂剂的有效激活及晶体缺陷的修复能力 [T1]。