40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在结构刻蚀、真空烘烤和快速热处理之后，背照式（BSI）CMOS图像传感器的背面硅表面会留下晶格损伤、自然氧化层和悬挂键 [P1]。这些结构和化学缺陷会产生中带隙能态，作为产生-复合中心，从而严重增加暗电流 [P1]。RF Plasma步骤作为高k介质钝化层（如 AlO 和 TaO）沉积前即刻进行的关键原位表面调节和清洗机制 [P6]。通过在原子层沉积（ALD）之前将晶圆暴露于反应性等离子体物质中，该工艺确保了原始且经过化学钝化的界面 [P1]。