清洗剂利用特定的化学相互作用,通过 Zeta 电位调制去除颗粒,并在不引起结构退化的情况下氧化痕量有机物 [A3]。
这一特定的光刻前清洗(Pre Litho Cleaning)步骤位于背面衬底接触(SBST_CONT)模块中,紧接在 BPMD SiO 层以及底层的 HKD/AR2 TaO 和 HKD/AR1 AlO 层沉积之后 [A1]。与之前用于准备前段工艺有源区、栅极或互连层的光刻前清洗步骤(如第 #7、#13、#27、#49 和 #73 步)不同,该独特步骤旨在为深接触光刻工艺调节背面钝化介质 [A1]。
登录后继续阅读全部 417 步
免费注册