40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在背照式（BSI）CMOS 图像传感器架构中，形成稳健的背面接触对于器件接地和像素隔离至关重要 [A2]。在光刻和背面金属前介质（BPMD）刻蚀之后，必须依次去除 HKD（高 k 介质）和 AR2（抗反射层 2）堆叠层，以继续进行图案转移 [A1]。此步骤会穿透光学层和钝化介质层，暴露出下方的 AR1 和硅衬底，以进行后续的深反应离子刻蚀（RIE）步骤 [P4]。通过这些介质层的精确图案转移确保了背面电源和接地分配网络的结构完整性 [A1]。