40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器制造中，晶圆被翻转并键合至载体上，以便形成背面互连和触点 [A2]。在依次蚀刻穿过背面介电层（包括BPMD以及高k/减反射 (HKD/AR) 叠层）后，这一特定步骤会蚀刻进入体硅衬底，以形成局部背面接触槽 [A1]。与针对特定介电隔离结构的全局衬底减薄或SWS氮化物各向异性背面蚀刻不同，此步骤选择性地去除了图案化的单晶硅 [P4]。这从结构上定义了接触区域，并为随后的LS背面接触离子注入 (IIP) 步骤制备了暴露的硅表面 [A1]。