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在背面光刻步骤之后，BPMD（背面金属前介质）刻蚀将衬底接触图形转移到先前沉积的 SiO₂ 层中 [A2]。此步骤在厚隔离介质中创建了初始垂直通路，为后续去除高 k 介电层（HKD）和抗反射（AR）层做好了结构准备 [P4]。与标准的前段工艺 PMD 刻蚀不同，这种特定的背面工艺必须与底层的硅栅格和隔离结构精确对准，且不能损害已减薄衬底的机械或电气完整性 [P2]。最终，打开该接触窗口能够实现后续低电阻金属-半导体界面的形成，从而定义器件的背面参考电位 [T1]。