40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器的封装模块中，必须穿过多层层间介质（ILD）刻蚀出深键合焊盘（bond pad）腔体，以露出底部的金属焊盘 [A2]。刻蚀顺序根据堆叠的结构组成，在本体氧化物去除与选择性阻挡层穿透之间交替进行 [A1]。在执行完于ILD 6-1 SiCN层上选择性停止的ILD 6-2氧化物刻蚀后，当前需要部署ILD 6-1 SiCN刻蚀步骤来穿透这一特定的扩散阻挡层 [P2]。