其物理机制依赖于建立稳定的金属-金属界面,其中 Ta 基薄膜必须对铝表现出优异的附着力,且不能形成高阻抗屏障 [T1]。
在焊盘模块完成 Metal 7 铝层沉积后,必须在光刻之前沉积一层顶部 Ta 基衬垫层 [P1]。与本工艺流程中前期的后段工艺(BEOL)Ta 基衬垫沉积(例如步骤 155、171 和 187)不同——后者作为铜互连的底部和侧壁扩散阻挡层,以防止 Cu 扩散到低 k 电介质中 [P2]——此特定步骤主要用作底层铝的保护性覆盖层和抗反射涂层(ARC)(工程实践)。
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