40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的制造过程中，焊盘（bondpad）模块需要依次穿透厚重的多层介质堆叠*（工程实践）*。ILD 5-1 SiCN刻蚀专门针对位于第五层与第四层层间介质之间的碳氮化硅（SiCN）阻挡层 [P1]。这种顺序流程（从ILD 6到ILD 3）旨在精细管理深孔焊盘或类TSV接触孔开口的长径比和刻蚀停止要求 [A1]。