40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

40nm BSI CMOS图像传感器的焊盘（Bond Pad）模块需要暴露下方的金属或形成稳定的铝焊盘，以用于外部封装连接 [A2]。这一特定的“Ta阻挡层刻蚀”紧接在主体Al金属刻蚀之后进行，表明它是堆叠金属焊盘结构中的底部阻挡层去除步骤 [P2]。去除该底部阻挡层对于建立与下方M7铜层的直接、低电阻欧姆接触至关重要 [T1]。最小化该界面处的特定接触电阻对于传感器中的大电流或高频信号提取至关重要 [T1]。