Ta-based Bottom Barrier deposition

从电学角度来看，阻挡层必须与底层金属形成高导电性的欧姆接触，避免过高的势垒高度限制电流传输 [T1]。

在刻蚀 ILD 3-2 Oxide 和 ILD 4-1 SiCN 层以及随后的去胶（Ashing）和清洗（Clean）步骤完成后，键合焊盘（bondpad）接触区域已完全打开，露出底层的顶层互连结构 [A1]。基于 Ta 的底部阻挡层（Bottom Barrier）沉积步骤是该底层金属化结构与即将进行的 Metal 7 Al 金属沉积之间的关键界面 [A1]。