40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

ILD 3-2 氧化层刻蚀后的去胶（Ashing）与清洗（Strip/Clean）步骤是 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中焊盘（bond pad）模块的关键表面制备阶段 [P3]。在上游反应离子刻蚀（RIE）工序中，为了打开穿过多层介质的深焊盘通孔，碳氟（CFx）聚合物被有意沉积在刻蚀侧壁上，以确保刻蚀的各向异性并保护介质免受横向损伤 [P1]。因此，形成的空腔表面覆盖着硬化光刻胶、有机金属副产物以及致密的碳氟聚合物残留物 [P1]。