前置的光刻前清洗步骤确保了 ILD 表面没有污染物，防止了在显影阶段出现粘附失效和局部缺陷 [T1]。
“Bond Pad Cavity - Photo”步骤定义了顶部介质堆叠内封装凹槽的精确几何边界 [A1]。该光刻工艺置于 ILD 6-1 (SiCN) 和 ILD 6-2 (Oxide) 层沉积之后，为随后穿透氧化物和 SiCN 薄膜的顺序刻蚀提供了掩模 [T1]。与仅仅清除顶部金属表面钝化层的标准焊盘开口步骤不同，Cavity Photo 步骤专门定义了一个结构性的凹陷沟槽，为嵌入式焊盘提供了空间约束和受控的侧壁间距 [A2]。
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