40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的封装模块需要穿过多个电介质层刻蚀出深键合焊盘开口，以将外部端子连接至内部布线 [A2]。这种交替刻蚀序列——依次穿过ILD 5-1 SiCN、ILD 4-2 Oxide、ILD 4-1 SiCN，最后到达ILD 3-2 Oxide——表明这是一个针对深埋焊盘结构的逐步开窗过程 [P2]。与早期的前段工艺氧化物刻蚀或浅层焊盘氧化物清除步骤不同，该步骤必须选择性地去除特定的深埋体氧化物层（ILD 3-2），同时保持已打开的上层结构的几何完整性 [P2]。