Ta-Barrier etch（BONDPAD #259）

选择性 Ta 阻挡层刻蚀暴露下层铝，同时防止会引发腐蚀或丘疹形成的卤素渗透 [A2]。

在 40nm BSI CMOS 图像传感器的制造中，键合焊盘（bond pad）堆栈通常由顶层阻挡层、主铝（Al）层和底层阻挡层组成 [A1]。在 Metal 7 键合焊盘光刻步骤之后，这一特定的 Ta 阻挡层刻蚀工艺充当了顶层击穿工艺 [P3]。其主要功能是将光刻胶图案精确地转移到顶部的钽（Ta）或氮化钽（TaN）抗反射及保护覆盖层中，从而暴露出下方的 Al 层，以进行后续的大块金属刻蚀 [A2]。