Al Metal Etch - 40nm 工艺步骤

通过调节 RF 偏置电压，工程师可以仔细平衡化学刻蚀速率与物理溅射力，以防止 RIE-lag 效应并最大限度地减小表面粗糙度 [P2]。

针对 40nm BSI CMOS 图像传感器，PACKAGING 模块中的铝（Al）金属刻蚀步骤定义了顶层键合焊盘的本体几何形状 [A2]。该步骤战略性地位于两次截然不同的 Ta 阻挡层刻蚀操作之间，旨在刻蚀厚且高导电性的铝层，同时保留薄的难熔金属衬层以便进行独立的、高选择性的去除 [P3]。正确形成这一铝本体结构对于在最终封装和外部系统集成过程中实现低比接触电阻至关重要 [T1]。