40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在先进的背照式（BSI）CMOS图像传感器中，通过在相邻光电二极管之间构建深金属光屏蔽栅格，可以减轻像素间的光学串扰 （工程实践）。在完成中间垂直栅格的沉积，即共形钨完全填充高深宽比沟槽结构后，必须彻底去除产生的厚金属覆盖层 （工程实践）。钨化学机械抛光（W CMP）步骤旨在通过将场区钨研磨至下方的介质层，从而实现晶圆表面的全局平坦化并隔离各个栅格线 [P1]。这种高度受控的平坦化对于建立后续光刻及上层垂直栅格阻挡层沉积所需的平整、无缺陷形貌至关重要 [T1]。