40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）中，像素尺寸极小，导致严重的串扰，包括光学串扰和电学串扰（工程实践）。为了缓解这一问题，在像素之间制造了填充不透明金属的深沟槽隔离结构，即垂直栅格或遮光层（工程实践）。在栅格沟槽的刻蚀与清洗完成后，中段垂直栅格沉积（Mid Vertical Grid Deposition）步骤使用高反射率和高光学密度的材料（通常为钨（W））填充这些高深宽比沟槽 [P3]。