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本步在上层钨及氮化钛图形刻蚀、去胶清洗之后，记录为等离子体增强气相沉积氧化硅，后续进入光刻前清洗和滤色层加工。所盖覆的是光学栅格，不是晶体管栅极；材料不是从一般封装案例推测的氮化硅、氮氧化硅或高介电常数膜。

等离子体活化与表面反应形成介质网络，覆盖连续性受局部形貌、反应物输运和成核影响。该氧化膜可减少后续介质与裸露金属的直接接触，但存在针孔、裂纹或局部薄弱处时仍可能发生渗入，不能由“密封层”名称宣称已经实现气密封装。