40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

本步位于 Optical Pad 3 平坦化及清洗之后，以 KrF 光刻定义中层栅格的胶中图形，随后为 Optical Pad 3 刻蚀。当前改变的是光刻胶，不是已经形成光学介质沟槽或改变硅中电学结。

曝光与显影把空间光强分布转成胶的保留和去除图形。焦点、反射、胶层状态和显影共同影响尺寸与边缘；不能认为控制曝光就必然获得完全垂直的轮廓。后续刻蚀既会继承部分图形偏差，也可能引入新的偏差。