LS/Aperture Grid Deposition - 40nm 工艺步骤
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LS/Aperture Grid Deposition
40nm BSI CMOS Image Sensor
40nm | 417 步骤
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流程概述
晶圆准备
11
正面深沟槽隔离
13
浅槽隔离 (STI)
23
阱区注入
5
光电二极管
3
阱区注入
9
NMOS 晶体管
4
双栅氧化
10
栅极
6
NMOS 晶体管
3
侧墙
4
源漏极
6
光电二极管
3
阱区注入
4
预金属介质 (PMD)
7
接触孔
13
金属 0 层
6
预金属介质 (PMD)
2
接触孔
16
预金属介质 (PMD)
2
金属 1 层
17
金属 2 层
16
金属 3 层
16
金属 4 层
16
金属 5 层
16
金属 6 层
3
金属 5 层
1
金属 6 层
9
焊盘
18
金属 6 层
5
直接键合互连
18
焊盘
6
晶圆减薄
6
背面钝化
12
衬底接触
8
遮光栅格
21
318
LS/Aperture Grid Barrier Deposition
319
LS/Aperture Grid Deposition
320
Oxide Grid Seal Layer Deposition
321
Pre Litho Cleaning
322
Light Shield/Aperture Grid - Photo
323
Oxide Grid Seal Layer Etch
324
W Etch
325
TiN Etch
326
Ashing & Strip/Clean
327
Optical Pad 1 Deposition
328
Pre Litho Cleaning
329
Lower Vertical Grid Trench - Photo
330
Optical Pad 1 Etch
331
Oxide Grid Seal Layer Etch
332
Ashing & Strip/Clean
333
Lower Vertical Grid Barrier Deposition
334
Lower Vertical Grid Deposition
335
W CMP
336
Post CMP Cleaning
337
Optical Pad 2 Deposition
338
Lower OCL Planar Layer Deposition
彩色滤光片
7
遮光栅格
22
彩色滤光片
8
微透镜
6
焊盘
34
晶圆准备
2
LS/Aperture Grid Deposition
步骤 319
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