LS/Aperture Grid Deposition - 40nm 工艺步骤

然而，减薄金属本身会降低其总光密度；因此，沉积工艺必须在不引入空洞或高浓度杂质的情况下实现接近块体材料的密度 [P2]。

在 LS/Aperture Grid 阻挡层沉积之后，LS/Aperture Grid 沉积步骤在减薄后的 BSI CMOS 图像传感器背面形成了主要的不透明金属层 [P1]。在现代亚微米像素架构中，背照式（BSI）技术通过将布线层移至前段工艺，极大地提高了填充因子 [A1]。然而，高密度排列的像素极易受到光学串扰的影响，即倾斜入射的光子会穿透至相邻像素，从而降低色彩保真度和空间分辨率 [P2]。