40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器中，钨（W）栅格作为关键的光屏蔽层和光学孔径，用于防止相邻高度微缩像素之间的光子串扰 [P3]。在对氧化物栅格密封层进行刻蚀后，必须对W层进行各向异性图案化，以界定入射光的精确光学腔，这类似于光电器件中波导的形成 [T3]。随后的步骤是TiN刻蚀，表明集成方案采用了W/TiN叠层，其中TiN作为下层的附着和扩散阻挡层 [P3]。此步骤中高保真的图案转移对于保持设计的孔径尺寸并确保像素阵列中对称的光收集能力至关重要 [T3]。