40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

ILD 6-4 沉积步骤是构建 40nm BSI CMOS 图像传感器后段工艺（BEOL）上层厚复合层间介质（ILD6）的中间阶段 [P1]。在键合焊盘（bondpad）层面的 Ta 阻挡层刻蚀和光刻胶灰化之后，必须逐步构建 ILD 结构，以封装底层互连并为后续的平坦化和通孔形成做准备 [A2]。