通过温和的氧化-溶解循环控制表面状态,可确保表面能达到最优,从而实现均匀的光刻胶涂覆,防止宏观层面的去湿缺陷 [P2]。
在 LS_GRID 模块完成 Optical Pad 1 层的沉积后,晶圆必须在进行 Lower Vertical Grid Trench 光刻胶涂覆前经历一道 Pre Litho Cleaning(光刻前清洗)工序 [P4]。该步骤不同于其他光刻前清洗工艺,因为它专门针对高深宽比沟槽图形化工艺对光学焊盘电介质表面进行预处理,这对于 40nm BSI CMOS 图像传感器的光学隔离至关重要 [P3]。
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